[发明专利]制造有源矩阵器件的方法无效
申请号: | 99124809.0 | 申请日: | 1995-04-22 |
公开(公告)号: | CN1129170C | 公开(公告)日: | 2003-11-26 |
发明(设计)人: | 小山润;河崎祐司 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 每根数据线的数据保持控制信号提供给并联在一起的多个源极跟随器。并联的源极跟随器是至少一个只用激光照射一次的第一跟随器和至少一个照射两次的第二跟随器的组合。用于结晶的激光照射的宽度等于源极跟随器的间隔乘以一个不小于3的整数。 | ||
搜索关键词: | 制造 有源 矩阵 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造有源矩阵器件的方法,所述器件具有一个由薄膜晶体管矩阵构成的有源矩阵电路和一个给所述有源矩阵电路提供信号的源极驱动电路,该驱动电路至少包括多个沿第一方向以间距d排列的模拟缓冲器,所述方法包括下列步骤:在整个基底上形成半导体膜;用光束照射所述半导体膜,其中在所述半导体膜表面处的横截面在正交于所述第一方向的第二方向上伸长;用光束沿第一方向扫描所述半导体膜,使所述半导体膜晶化;和用所述光束晶化过的半导体膜至少形成所述有源矩阵电路和所述模拟缓冲器;其中光束的所述横截面在第一方向的宽度等于间距d的n倍,这里n为整数,其中每个所述模拟缓冲器都包含多个源极跟随器,这些源极跟随器沿所述第一方向排列且彼此并联连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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