[发明专利]用于半导体器件的金红石介质材料无效
| 申请号： | 99124827.9 | 申请日： | 1999-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1149647C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | A·迈克尔斯 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L29/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 根据本发明形成半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底中提供深沟槽，深沟槽具有下部，通过用介质层作衬里，在深沟槽中形成介质层，该介质层包括钛。一种半导体器件包括具有形成于其中的沟槽的衬底；形成于沟槽中且容性耦合到衬底的存储节点；及形成于存储节点和衬底之间的沟槽中的介质层，该介质层作为沟槽下部的衬里，其中介质层包括氧化钛。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 金红石 介质 材料 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底中提供深沟槽，深沟槽具有下部；及通过用介质层作深沟槽下部的衬里，在深沟槽中形成介质层，该介质层包括金红石晶体形式的二氧化钛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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