[发明专利]纳米孔道中的晶体管及其集成电路无效
| 申请号： | 99124924.0 | 申请日： | 1999-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1304181A | 公开（公告）日： | 2001-07-18 |
| 发明（设计）人： | 秦伟平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/72 |
| 代理公司： | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于一种纳米尺寸的半导体电子器件,利用了分子筛材料中纳米孔道整齐排列和可控制生长的特点,将半导体材料装入纳米孔道中,形成沿纳米孔道的半导体器件。选用电绝缘的材料作为形成纳米孔道的体材料。在直型孔道的两端分别装入P型和N型半导体材料,结合处形成p－n结;孔道的两侧装入导电性材料,引出电极,从而构成完整的纳米孔道二极管。利用同样的方法在T型和Y型孔道中可以构成纳米孔道三极管。进一步将纳米孔道控制生长,并使之有序排列,装入P型、N型半导体和将晶体管连接在一起的导电材料,即可构成三维结构的纳米孔道集成电路。纳米孔道集成电路具有更高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 孔道 中的 晶体管 及其 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种纳米孔道晶体管及其集成电路，主要包含有半导体二极管、三极管等，其特征是用分子组装化学方法在分子筛材料形成具有电绝缘性能管壁的纳米孔道，在纳米孔道中装入P型和N型半导体，装入的P型和N型半导体在结合处形成P-N结，在P型和N型半导体的外侧管道内装入导电材料，作为晶体管间的连接或引线基础，利用纳米孔道的三维空间网络，连通构成三维集成电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械研究所，未经中国科学院长春光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99124924.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制备具有优异吸水性的聚酯纤维的方法
- 下一篇：天然音形码计算机汉字编码输入法
- 同类专利
- 专利分类
