[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 99125090.7 | 申请日： | 1999-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1124648C | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 山本悦章 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一下层的铝配线(22)对形成在层间隔离层(23)中的通孔(24)暴露，以及在淀积通过通孔(24)连接至下层的铝配线(22)的一上部铝配线(30)之前，执行除气处理，其中除气是在等于或者小于在层间隔离层(23)时的最大的基片温度的一基片温度下执行的，所以由于热应力造成的小丘和触须不会发生在下层的铝配线(22)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，其中包括步骤：a)在一半导体基片(20)上方形成一下层的金属配线(22；32)；b)在所述半导体基片(20)被加热到在最大值的第一温度的情况下，用一层间隔离层(23；33)覆盖所述下层的金属配线(22；32)；c)在所述层间隔离层(23；33)中形成一通孔(24；37)；d)执行一除气从所述层间隔离层(23；33)中除去污染物；以及e)形成穿过所述通孔(24；37)并与下层金属配线连接的一上部金属配线(30；38)，并且所述上层金属配线是从包括铝和铝合金的组中选择的一种导电的材料构成的，其特征在于所述除气是在所述半导体基片(20)被加热到等于或者小于所述第一温度的一第二温度的情况之下执行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
