[发明专利]淀积膜形成系统和方法有效

专利信息
申请号: 99125440.6 申请日: 1999-10-18
公开(公告)号: CN1132962C 公开(公告)日: 2003-12-31
发明(设计)人: 佐野瞳;金井正博;小池淳;须贝浩士 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513;H01L21/205
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 淀积膜形成系统具有至少一个真空容器;向真空容器输送膜形成用原料气体的装置;使原料气体成为等离子体的放电电极;以及供电导体,将高频功率施加至放电电极,该系统包括接地屏蔽,在真空容器内围绕供电导体设置;和多个电介质材料部件,它们的至少部分设置在供电导体和接地屏蔽之间。还公开了采用这种淀积膜形成系统的方法。可以长时间地维持大面积均匀放电,并且可以在连续移动的带状基片上形成非常均匀的高质量淀积膜。
搜索关键词: 淀积膜 形成 系统 方法
【主权项】:
1.一种淀积膜形成系统,它具有:至少一个真空容器;用于向真空容器输送膜形成用原料气体的装置;一个设在真空容器内的放电电极,它用于使原料气体成为等离子体;以及一个供电导体,它用于将高频功率施加至放电电极,该系统包括:一个接地屏蔽,它在真空容器内围绕供电导体设置;和一个或多个电介质材料部件,其中的至少一个设置在供电导体和接地屏蔽之间。
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