[发明专利]制造半导体器件冠式电容器的方法

摘要

制造冠式电容器方法包括：在单元区域和周边区域中的绝缘层上形成位线；形成第三氧化物层，以填充单元区位线间的间隙；在形成第三氧化物层结构上形成蚀刻阻断层和第一氧化物层；各向异性蚀刻第一氧化物层、蚀刻阻断层和第三氧化物层形成通路孔，以露出单元区绝缘层；在有通路孔的单元区上形成硅导电层，以与绝缘层电接触，并形成第二氧化物层；各向异性蚀刻第二氧化物层和硅导电层，以露出第一氧化物层，从而完成下电极；以及去除第一和第二氧化物层。

主权项

1、一种制造半导体器件冠式电容器的方法，该方法包括的步骤有：在基底的单元区域和周边区域中的中间水平绝缘层上形成若干位线；形成一个第三氧化物层以填充存在于单元区域中所述若干位线之间的间隙，所述第三氧化物层覆盖在位线的侧壁上；在通过形成所述第三氧化物层所获得的整个结构上应用CVD形成一个蚀刻阻断层和一个第一氧化物层；通过各向异性地蚀刻所述第一氧化物层、所述蚀刻阻断层和所述第三氧化物层形成若干通路孔，以露出所述单元区域中的所述中间水平绝缘层；为形成冠式电容器的一个下电极，在具有所述若干通路孔的结构的单元区域上形成一个硅导电层以便与所述中间水平绝缘层电接触，并随后形成第二氧化物层以填充单元区域中所述硅导电层的间距；通过各向异性地蚀刻所述第二氧化物层和所述硅导电层，以露出所述第一氧化物层，从而完成所述下电极；以及去除所述第一和第二氧化物层。