[发明专利]用于建立差别注入条件的方法无效
| 申请号： | 99125525.9 | 申请日： | 1999-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1255737A | 公开（公告）日： | 2000-06-07 |
| 发明（设计）人： | 松田友子 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法,其用于通过差别地把离子注入到晶片,建立使表示MOSFET的性能的指数在许可范围内的条件。该方法包括如下步骤对于结深度作一条表示能量污染量的曲线,以及确定对于所需结深度的许可能量污染量。通过参照该曲线可以获得基本上没有性能下降的MOSFET。并且建立射束线路的真空度和/或路程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 建立 差别 注入 条件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其用于通过根据一条件调节在离子注入装置中的射束线路的真空度和/或路程，建立使MOSFET的表示性能的指数在许可范围内的条件，以通过差别注入离子到晶片的方法形成源/漏区，该改进方法包括如下步骤：作一条表示与结深度对应的能量污染量的曲线，以及确定与所需结深度相对应的许可能量污染量作为所述条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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