[发明专利]“绝缘体上的硅”结构的半导体装置有效
| 申请号： | 99125881.9 | 申请日： | 1999-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1155102C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | A·O·阿丹 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有下述的衬底掺杂剖面分布的SOI结构的半导体装置，通过采用该衬底掺杂剖面分布，能在工作状态下为了实现MOSFET的低电压工作而将阈值电压设定得较低，在关断状态下为了降低关断漏泄电流而将阈值电压设定得较高。该SOI结构的半导体装置包括：SOI衬底；源/漏区6、7；以及栅绝缘膜24和栅电极11，源/漏区6、7的厚度比表面半导体层3的厚度薄，沟道区具有第1导电型高浓度杂质扩散层5。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种SOI结构的半导体装置，该半导体装置由下述部分构成：层叠埋入绝缘膜和第1导电型的表面半导体层而构成的SOI衬底；在上述表面半导体层上形成的第2导电型源/漏区；以及通过栅绝缘膜在该源/漏区间的第1导电型沟道区上形成的栅电极，其特征在于：将上述源/漏区的厚度形成得比上述表面半导体层的厚度薄，上述沟道区具有将第1导电型杂质浓度在上述埋入绝缘膜附近设定得比其表面区域高的第1导电型高浓度杂质扩散层。
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