[发明专利]用于形成微型喷射装置的厚薄膜层的方法无效
申请号: | 99126009.0 | 申请日: | 1999-11-03 |
公开(公告)号: | CN1253042A | 公开(公告)日: | 2000-05-17 |
发明(设计)人: | 安秉善;朱科夫·A·阿莱克桑德罗维奇;达尼夫·B·尼科莱维奇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | B05D1/00 | 分类号: | B05D1/00;B05D3/02;B41J2/16 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 李晓舒 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于形成微型喷射装置的厚薄膜层的方法,包括在基体上形成薄薄膜层,无需附加的热处理过程,再在所述薄薄膜层上形成厚薄膜层,对顺序形成在所述基体上的薄薄膜层和厚薄膜层同时进行热处理,从而形成了单一的厚薄膜层。单一的厚薄膜层是由连续的没有受到热处理影响的涂敷过程形成的,因此消除了分层线。由此可显著提高厚薄膜层的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 微型 喷射 装置 厚薄 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成微型喷射装置的厚薄膜层的方法,包括下列步骤:第一步骤,将第一数量的有机液体沉积在形成于基体上的保护膜上,并以第一转速旋转所述基底,从而形成第一有机液体层;第二步骤,将第二数量的有机液体沉积在所述第一有机液体层上,并以慢于所述第一转速的第二转速旋转所述基体,从而形成了第二有机液体层;对所述第一有机液体层和第二有机液体层进行干燥处理和热处理以形成复合的厚薄膜层;对所述复合的厚薄膜层进行蚀刻以部分地露出所述保护膜,从而限定腔室区域;和将所述复合的厚薄膜层从所述基体上分离下来。
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