[发明专利]绝缘体基硅场效应晶体管及其形成工艺和绝缘体基硅网络有效
| 申请号： | 99126106.2 | 申请日： | 1999-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1152436C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·J·哈格鲁弗;玛丽恩·M·佩勒拉;史蒂文·H·沃尔德曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供静电泻放保护的SOI场效应晶体管。该结构有源，漏，体和栅。该栅用厚氧层和金属接触形成。该晶体管可以是p型晶体管或n型晶体管。该晶体管漏可以同栅和体之一相连，也可以同栅和体都相连。当作为保护器件使用时，该漏同信号焊盘相连，源同参考电位相连。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 场效应 晶体管 及其 形成 工艺 网络 | ||
【主权项】：
1.用于静电泻放保护的SOI场效应晶体管，包括：提供第一端的源，提供第二端的漏，提供第三端的体，所述源、漏和体位于SOI结构中，以及提供第四端的栅，具有直接位于所述SOI结构顶部上的厚氧层和直接位于所述厚氧层顶部上的金属接触，其中该厚氧层是通过引线后端工艺形成的层间介质。
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