[发明专利]改善与铜粘附力的方法有效
| 申请号： | 99126107.0 | 申请日： | 1999-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1138304C | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 文森特·J·迈哥亥;托马斯·A·伊沃斯;亨利·A·尼耶三世;乔伊斯·C·刘 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过提供插入的含锗层，诸如氮化硅和二氧化硅等弱粘附材料表现出与铜粘附力得到改善。含锗层是铜锗化物、锗氧化物、氮化锗或它们的组合。含锗层提高了粘附力，使得弱粘附层从铜部件的分层减少。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 粘附 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体结构，包括：安置在半导体器件里的铜部件；安置在铜部件的至少一个表面上，从铜锗化物、锗氧化物、氮化锗和它们的组合组成的组中选择的至少一种含锗材料层；和安置在含锗层上的弱粘附到铜的材料层。
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