[发明专利]一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法无效
| 申请号： | 99126280.8 | 申请日： | 1999-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1125892C | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 崔屾;乔亚莉;崔兰;吕成章 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法。该方法是以SiO2和CH4为原料，依次经过SiO2的氧化还原反应，CH4的分解反应，Si与C的合成反应过程制成纳米级SiCw/SiCf；本发明的技术特征在于，所采用的原料气为CH4，还原剂为第I、第II主族金属的纳米粉末及所采用的过渡金属催化剂。本发明同以酚醛树脂为原料及以SiCl4为原料法生产纳米级碳化硅方法相比，具有制造成本低，无环境污染和节能的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 碳化硅 纤维 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法，它是以SiO2和烷烃气为原料，金属纳米粉末为还原剂及气体为助还原剂，在过渡金属催化剂的作用下，并依次经过SiO2的氧化还原反应，原料气的分解反应，Si与C的合成反应过程制备成碳化硅晶须/纤维，其特征是：原料气采用CH4；氧化还原反应采用Mg的纳米粉末为还原剂，以H2为助还原剂；原料气的分解反应，采用Co、或者Ni、或者它们的混合物为催化剂，反应压力为0.1-5MPa；Si与C的合成反应温度在600-900℃，得到的纳米级碳化硅晶须/纤维产物的直径为10-80nm，长度为数微米至数十微米。
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