[发明专利]一种消除寄生双极晶体管效应的方法和装置

摘要

一种测量具有预充电器件和输出器件的动态逻辑电路的逻辑分区中的建立时间，消除包括绝缘体基外延硅场效应晶体管的动态逻辑电路中寄生双极放电的有害效应的方法和装置。该方法确定了从所述逻辑分区到所述预充电器件的控制输入的时钟信号的第一时间延迟，以及从所述逻辑分区到所述输出器件的控制输入的逻辑信号的第二时间延迟。根据所述第一和第二二时间延迟确定建立时间。在建立时间期间，预充电器件保持激活，以防止寄生双极放电。

主权项

1.一种消除寄生双极晶体管效应的方法，该方法通过测量包括绝缘体基外延硅金属氧化物半导体器件的动态逻辑电路的逻辑分区中的建立时间实现，所述动态逻辑电路具有预充电器件和输出器件，所述方法包括：确定从所述逻辑分区到所述预充电器件的控制输入的第一信号的第一时间延迟；确定从所述逻辑分区到所述输出器件的控制输入的第二信号的第二时间延迟；以及根据所述第一和第二时间延迟确定建立时间；已确定的所述建立时间用来在动态逻辑电路的计算阶段防止动态逻辑电路之内的双极漏电流的流动。