[发明专利]平面密集构图的绝缘体基硅结构及其制造方法无效
| 申请号： | 99126569.6 | 申请日： | 1999-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1155073C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 埃芬迪·里奥班顿;迪文德拉·K·萨丹纳;多米尼克·J·谢皮斯;格范·沙西蒂 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 平面绝缘体基硅(SOI)结构和制造该结构的工艺。该SOI结构具有硅晶片，氧化物层，和硅层。形成从结构顶表面延伸到硅晶片的沟槽，随后用半导体填充。沟槽具有顶部，底部，和侧壁。侧壁具有侧壁硅部分。沟槽侧壁的侧壁硅部分被沟槽侧壁氧化物层覆盖。保护侧壁从沟槽顶部到沟槽底部遍布在沟槽侧壁和沟槽侧壁氧化物层上。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 密集 构图 绝缘体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.平面绝缘体基硅结构的制造方法，该结构具有衬底上无埋入氧化 物的区域，该衬底包括：硅晶片，硅晶片上的氧化物层，氧化物层上的 硅层，和硅层上的氮化物层，该衬底具有上表面，该方法包括步骤： (a)在所述衬底中形成从所述上表面到所述硅晶片延伸的沟槽，所 述沟槽具有侧壁和底部，所述沟槽侧壁具有侧壁硅部分； (b)在所述沟槽底部和所述侧壁硅部分上形成氧化物层以制作沟槽 底部氧化物层和沟槽侧壁氧化物层； (c)在所述沟槽侧壁上形成遍布所述沟槽侧壁氧化物层和覆盖一部 分所述沟槽底部氧化物层的保护侧壁； (d)除去不在所述保护侧壁下方的所有所述沟槽底部氧化物层；和 (e)在所述沟槽中从所述沟槽底部向所述上表面外延生长半导体。 2.根据权利要求1的方法，其中衬底进一步包括在所述氮化物层和 所述硅层之间的保护氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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