[发明专利]一种快速光电响应材料金属/绝缘体嵌埋团簇膜及制造方法无效
| 申请号： | 99126623.4 | 申请日： | 1999-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1100269C | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 赵子强 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02F1/01;C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 陈美章 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是利用磁控溅射产生金属团簇和蒸发介质的方法，将产生的纳米Cu团簇嵌埋在绝缘介质CaF2中，可以直接形成金属/绝缘体嵌埋团簇膜，制备方法简单实用。金属/绝缘体嵌埋团簇膜有较大第三级非线性系数，由Kerr效应测量结果表明，Cu/CaF2复合膜的光电响应时间小于150fs，该膜是一种很好的光电开关材料，在未来光子电子器件中将作为快速光电响应材料有着极为广泛的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 光电 响应 材料 金属 绝缘体 嵌埋团簇膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种快速光电响应材料金属/绝缘体嵌埋团簇膜，其结构的特征是：(1)将尺寸为2～70nm的金属团簇嵌埋在绝缘介质CaF2中；(2)嵌埋金属的体积百分比为20％～70％；(3)金属和绝缘体都具有多晶结构。
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