[发明专利]磁头及具有该磁头的磁存储装置无效
| 申请号： | 99126710.9 | 申请日： | 1999-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1147884C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 小田切充;竹房早奈江;三宅裕子 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F1/147;G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头，它具有优异的高频特性，无需任何热处理易于形成磁畴结构，因此，提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成，其特征在于，按照这样的条件选择NiFeMo的成分比，即按原子％值计，Ni为77-82％，Fe为15-21％，Mo为6％以下，以及磁应变常数λs范围为-1×10-6≤λs≤1×10-6。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 具有 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁头，包括磁极层，其形状使之产生压应力，所述磁极层由Ni、Fe和Mo构成的磁性材料形成，其特征在于，按照这样的条件选择NiFeMo的成分比，即按原子％值计，Ni为77～82％，Fe为15～21％，Mo为6％以下，以及磁应变常数λs范围为-1×10-6≤λs≤0。
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