[发明专利]一种单端反激开关电源MOS管低损耗电路无效
| 申请号： | 99126954.3 | 申请日： | 1999-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1123973C | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 齐勇;夏劲雄;高弈峰;王铣利;吴建安 | 申请（专利权）人： | 艾默生网络能源有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/18 | 分类号： | H03K17/18;G05F1/56 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 高占元 |
| 地址： | 518129 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单端反激开关电源MOS管低损耗电路，包括MOS开关管、变压器、第一二极管和第二二极管、第一电容和第二电容、电阻和负载；在变压器的原边设有第一共模电感(L1)、第二共模电感(L2)和第三电容(C3)，这样可使变压器原边绕组的电感与MOS开关管的分布电容的LC振荡电路中的阻抗值增加，进而使MOS开关管漏源极间的电压值VDS的振荡幅值迅速衰减。该发明电路能有效地抑制振荡峰值、减小开关损耗、提高变换效率，同时提高开关电源供电的可靠性及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单端反激 开关电源 mos 损耗 电路 | ||
【主权项】：
1、一种单端反激开关电源MOS管低损耗电路，包括MOS开关管(M1)、变压器(TR)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、电阻(R1)和负载(RL)；所述MOS开关管(M1)的漏极(D)接变压器(TR)的初级绕组(NP)的异名端(B)及第一二极管(D1)的正极，源极(S)接地；所述第一电容(C1)和电阻(R1)并联后一端接第一二极管(D1)的负极，另一端接初级绕组(NP)的同名端(A)；所述第二电容(C2)和负载(RL)并联后一端接变压器(TR)的次级绕组(NS)的同名端(D)，另一端接第二二极管(D2)的负极，第二二极管(D2)的正极接次级绕组(NS)的异名端(C)，其特征在于，在变压器(TR)的原边设有第一共模电感(L1)、第二共模电感(L2)和第三电容(C3)，所述第一电感(L1)一端接变压器(TR)的初级绕组(NP)的同名端(A)，另一端接输入端口(P)；第二电感(L2)一端接地，另一端接输入端口(N)；第三电容(C3)一端接变压器(TR)初级绕组(NP)的同名端(A)，另一端接地；这样可使变压器原边绕组的电感与MOS开关管的分布电容的LC振荡电路中的阻抗值增加，进而使MOS开关管漏源极间的电压值VDS的振荡幅值迅速衰减。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾默生网络能源有限公司，未经艾默生网络能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99126954.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
