[发明专利]利用液相外延技术制作微型硅构件的方法

摘要

利用液相外延技术制作微型硅构件的方法，先将衬底硅片氧化，然后在氧化膜上开出所需构件形状的窗口，露出硅底层，将硅片浸入经硅饱和的金属熔体中，利用硅液相外延法在窗口上外延生长硅构件。由于外延构件与硅衬底电阻率的不同，通过化学腐蚀将构件与衬底分离，由此即可制造所需形状的微型硅的构件，而且所用的衬底可以重复使用，使硅材料的利用率大大提高。

主权项

1.利用液相外延技术制作微型硅构件的方法，其特征在于：1)先将衬底硅片氧化，然后通过硅集成电路工艺中的光刻技术在氧化膜上开出与构件形状相似的窗口，露出衬底硅，保留其余部分的二氧化硅；2)将硅片浸入经硅饱和的金属熔体，降低熔体的温度，液相外延生长硅构件，并形成横向生长的外延层，通过对生长时温度变化及外延时间的控制，可以获得所需的尺寸；3)利用外延构件与硅底层电阻率的不同，通过化学腐蚀，使外延生长的硅构件与硅衬底分离。