[发明专利]半导体发光二极管无效
| 申请号： | 99800135.X | 申请日： | 1999-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1256795A | 公开（公告）日： | 2000-06-14 |
| 发明（设计）人： | 石川卓哉;荒川智志;向原智一;柏川秋彦 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体发光二极管(10)被形成在n型GaAs基片上并包含AlGaInP基双异质结结构,其中激活层(16)被夹在镀层(14,18)之间;上P型接触层20;环形上电极(22)有孔(28),光是通过上p型接触层(20)和上电极(22)的孔(28)发射。上p型接触层(20)是由含有0.5或更高Al含量的AlGaAs或AlGaAsP构成的半导体层,并且在5×1018cm－3或更高载流子浓度掺杂杂质。该半导体发光二极管以要求的发射图形和较高强度发射光并能以相对简单工艺制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光二极管，其形成在n-型GaAs基片上的，并包括具有夹在镀层之间的激活层的AlGaInP基双异质结结构，以及具有一孔并形成在具有一插入的p型接触层的所述双异质结结构上的一p侧电极，其特征在于：所述p型接触层被作为一半导体层形成，该半导体层是以有0.5或更多的Al含量的AlGaAs或AlGaAsP为材料制作并以5×1018cm-3或更多的载流子浓度掺杂p型杂质；以及通过所述p型接触层和所述p侧电极的孔发射光。
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