[发明专利]芯片焊接焊料无效
申请号: | 99800427.8 | 申请日: | 1999-03-29 |
公开(公告)号: | CN1123924C | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | 增田誉 | 申请(专利权)人: | 株式会社山武 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;B23K35/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 吴静波 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种芯片焊接焊料,包括:锡;金,其中,锡和金的物质组成比包括一个具有低共熔点的物质组成比,所述物质组成比中含锡为95%到90%、含金为5%到10%;以及添加剂,加入所述添加剂是为了防止冷却过程中晶粒过度长大,所述添加剂的重量与锡-金组成物的总重量比在0.1%到9%的范围内,所述添加剂具有比锡高的熔点,并与锡形成不了共晶体,而且与金具有比锡和金的共晶体的熔点高的低共熔点。根据本发明的芯片焊接焊料提高了接近室温时的延伸率和抗拉强度,可抑制作用于固定晶片的应力产生并使晶片更加容易固定。 | ||
搜索关键词: | 芯片 焊接 焊料 | ||
【主权项】:
1.一种芯片焊接焊料,包括:锡;金,其中,锡和金的物质组成比包括一个具有低共熔点的物质组成比,所述物质组成比中含锡为95%到90%、含金为5%到10%;以及添加剂,加入所述添加剂是为了防止冷却过程中晶粒过度长大,所述添加剂的重量与锡-金组成物的总重量比在0.1%到9%的范围内,所述添加剂具有比锡高的熔点,并与锡形成不了共晶体,而且与金具有比锡和金的共晶体的熔点高的低共熔点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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