[发明专利]传感器及其使用的电阻元件的制造方法无效
申请号: | 99800797.8 | 申请日: | 1999-05-20 |
公开(公告)号: | CN1272175A | 公开(公告)日: | 2000-11-01 |
发明(设计)人: | 梅田真司;野村幸治;井端昭彦;藤井浩;增谷武 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G01D21/00 | 分类号: | G01D21/00;G01L1/18;G01J5/20;H01L49/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 黄依文 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种传感器,在具有上表面电极和下表面电极的电阻元件2之上,电连接背面有栅极电极6的场效应晶体管元件3,并使栅极电极6与所述电阻元件2的上表面电极的一部分连在一起,并进行电连接使基片上的接地电极12与电阻元件2的下表面电极连在一起。 | ||
搜索关键词: | 传感器 及其 使用 电阻 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种传感器,包括:具有上表面电极和下表面电极的电阻元件,检测来自外部的能量并产生电信号的传感器元件,在芯片背面形成有栅极电极的场效应晶体管元件,以及,其上表面有第1电极、第2电极和第3电极的基片,使所述电阻元件的所述下表面电极与所述基片的所述第1电极电连接,使所述场效应晶体管元件在所述电阻元件之上电连接、以使所述栅极电极与所述电阻元件的所述上表面电极的一部分连在一起,使所述传感器元件的一个电极与所述电阻元件的所述上表面电极的一部分电连接,使所述场效应晶体管元件的源极和漏极分别与基片上的所述第2电极和所述第3电极电连接,并使所述传感器元件的另一电极与所述基片上的所述第1电极电连接。
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