[发明专利]二次电池用负极及其制造方法和非水系二次电池无效
| 申请号： | 99800821.4 | 申请日： | 1999-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1156041C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 赤木隆一;中西邦之;西村徹;平林忠;铃木淳 | 申请（专利权）人： | 花王株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 章鸣玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了能够减少以硅为活性物质的烧结体和集电体间的接触电阻的二次电池用负极的制造方法。包括以下3个步骤，即在含硅负极材料中加入粘合剂和溶剂，调制成淤浆；将淤浆涂布在导电性金属箔或筛网构成的基材上，除去溶剂，制得涂膜；在非氧化氛围气下对涂膜进行烧结，使其与基材一体化。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 负极 及其 制造 方法 水系 | ||
【主权项】：
1.二次电池用负极的制造方法，其特征在于，包括以下3个步骤：(a)在含硅负极材料中加入粘合剂和溶剂，调制成淤浆；(b)用上述淤浆形成涂膜，所述形成涂膜的步骤是：i)用淤浆涂布基材，然后除去溶剂；或ii)将淤浆涂布在涂膜形成用薄膜上，除去上述溶剂，制得涂膜，从上述涂膜形成用薄膜剥离出涂膜，将上述涂膜压镀在导电性金属箔或筛网构成的基材上；(c)在非氧化氛围气下将上述涂膜与导电性金属箔或筛网形成的基材一起烧结，使两者一体化。
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