[发明专利]磁隧道器件、其制造方法及磁头无效
| 申请号： | 99801198.3 | 申请日： | 1999-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1166015C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 熊谷静似;本多顺一;池田义人 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁隧道器件，其中第一磁性层和第二磁性层通过隧道阻挡层层叠起来，且具有这样的区域，即所施加的使上述第二磁性层的电位低于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化，比所施加的使第二磁性层的电位高于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化小。通过施加使第二磁性电位低于第一磁性层的电压，可使该磁隧道器件的磁电阻比随电压的变化小，隧道电流稳定地流动。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 器件 制造 方法 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种磁隧道器件，其中第一磁性层和第二磁性层通过隧道阻挡层层叠起来，其特征在于：包括：形成在上述第一磁性层上，从上述第一磁性层一侧分阶段对金属进行氧化，其氧化程度依次增加的隧道阻挡层；和形成在上述隧道阻挡层上的第二磁性层；具有这样的区域，即所施加的使上述第二磁性层的电位低于上述第一磁性层的电压发生变化时的磁电阻比的变化，比所施加的使上述第二磁性层的电位高于第一磁性层的电压发生变化时的磁电阻比的变化小；通过从上述第二磁性层向上述第一磁性层供给电子来使上述隧道阻挡层中流过隧道电流。
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