[发明专利]表面声波装置无效

专利信息
申请号: 99801591.1 申请日: 1999-09-13
公开(公告)号: CN1130016C 公开(公告)日: 2003-12-03
发明(设计)人: 井上宪司;佐藤胜男;守越広树;川嵜克己;内田清志 申请(专利权)人: TDK股份有限公司
主分类号: H03H9/25 分类号: H03H9/25;C30B29/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种表面声波装置有一块压电材料基片,基片性质包括利于展宽通频带宽度的机电耦合系数,利于使表面声波装置结构紧凑的SAW速度。压电材料基片由属于点集32化学式为Sr3TaGa3Si2O14的单晶体构成。如其切割角度和表面声波传播方向均在区域1-1内,由欧拉角度(Φ,θ,Ψ)表示的区域1-1,满足Φ=25°~35°,θ=20°~90°,Ψ=-40°~40°,也可在区域1-2内,其满足Φ=25°~35°,θ=20°~90°,Ψ=-25°~25°。
搜索关键词: 表面 声波 装置
【主权项】:
1.一种具有一块压电材料基片,和放置在该压电材料基片的多个主要表面中的一个主要表面上的一叉指式电极的表面声波装置,该装置包括:所述压电材料基片由属于点集32,化学式为Sr3TaGa3Si2O14的单晶体构成,所述单晶体具有预先确定的切割角度,和所述表面声波有预先确定的传播方向;所述单晶体的所述预先确定的切割角度,和所述表面声波的所述预先确定的传播方向,均在区域1-1内,其中,由欧拉角度(Φ,θ,Ψ)表示的所述区域1-1,满足Φ=25°~35°,θ=20°~90°,Ψ=-40°~40°。
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