[发明专利]薄膜形成方法及半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 99801765.5 | 申请日： | 1999-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1123064C | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 木户口勋;足立秀人;大西俊一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 利用电子回旋共振(ECR)等离子体法，让已被等离子体化的反应气体和遭到已被等离子体化的气体的轰击而脱离固体靶(23)的原子或者分子在试样(21)的表面起反应，而在试样(21)的表面上淀积薄膜(27)，这时，先利用已被等离子体化的反应气体对固体靶(23)的表面进行清洗，再淀积出该薄膜(27)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 半导体 发光 元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成方法，让通过电子回旋其振等离子体法而被等离子体化的反应气体，和遭到通过电子回旋其振等离子体法而被等离子体化的气体的轰击而脱离固体靶的原子或者分子在试样的表面起反应而生成的薄膜，淀积在上述试样的表面，其特征在于：包括用被等离子体化的上述反应气体，清洗上述固体靶的表面的清洗工序；及清洗完上述固体靶的表面后，再在上述试样的表面上淀积上述薄膜的薄膜淀积工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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