[发明专利]透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜有效
| 申请号： | 99801982.8 | 申请日： | 1999-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1287545A | 公开（公告）日： | 2001-03-14 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/457;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,谭明胜 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种透明导电膜材料的烧结块,包含该烧结块的溅射靶,及由该靶制造的透明导电玻璃和导电膜,该透明导电材料包括一定原子比的氧化铟、氧化锡和氧化锌,并任选包括如钌、钼和钒等特定金属的氧化物。该烧结块通过溅射等方法在膜形成中提供一种良好稳定性和有效生产率的材料,该透明导电玻璃和导电膜具有优良透明度和传导性,在电极制造中显示良好加工性,也适合于在制造有机电致发光元件中,用于制造显示改进了空穴注入效率的透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 膜用靶 材料 玻璃 薄膜 | ||
【主权项】：
权利要求书1．一种烧结产物，其中含有氧化铟、氧化锡及氧化锌，各成分间的金属原子比为In／(In+Sn+Zn)=0．50～0．75Sn／(In+Sn+Zn)=0．20～0．45Zn／(In+Sn+Zn)=0．03～0．30，且含有具In2O3·(ZnO)m，式中m为2～20的整数，所示的六方层状化合物及具Zn2SnO4所示的尖晶石构造化合物。
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