[发明专利]半导体装置、电光装置用基板、电光装置、电子装置以及投射型显示装置无效
| 申请号： | 99802022.2 | 申请日： | 1999-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1143370C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 川田浩孝 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了确保漏耐压，必须使基板上的MOSFET的沟道区的电位稳定。因此，必须有新的电位线，特别是在亮度变得重要的透射型的液晶显示器件中，存在开口率减少的问题。本发明中，将为了覆盖在基板上制造的MOSFET而形成的遮光层与上述MOSFET的沟道区导电性地连接起来。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电光 用基板 电子 以及 投射 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备在绝缘物上被形成的半导体层，其特征在于：具有：在上述半导体层中至少形成沟道区的晶体管；以及对上述晶体管进行遮光的遮光层，导电性地连接上述遮光层与上述晶体管的沟道区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99802022.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用激光处理半导体器件的方法
- 下一篇：模制塑料型半导体器件及其制造工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
