[发明专利]电光装置及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 99802378.7 | 申请日： | 1999-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1153180C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 村出正夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在有源矩阵驱动方式的液晶装置的电光装置中，为了即使使像素间距微细化也能对像素电极附加充分的蓄积电容且能减小通到像素电极的接触孔直径，液晶装置在TFT阵列基板(10)上具备：TFT(30)；数据线(6a)；扫描线(3a)；电容线(3b)和像素电极(9a)。以阻挡层(80)为中继，利用二个接触孔(8a、8b)导电性地连接像素电极与TFT间。半导体层的一部分和电容线夹住第1电介质膜(2)构成第1蓄积电容(70a)，电容线和阻挡层的一部分夹住第2电介质膜(81)构成第2蓄积电容(70b)。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 及其 制造 方法 电子 | ||
【主权项】：
1.一种电光装置，在基板上具有：多条扫描线和多条数据线；与上述各扫描线和上述各数据线对应而设置的薄膜晶体管；与该薄膜晶体管对应而设置的像素电极；以及与该像素电极连接的蓄积电容，其特征在于：具备：第1层间绝缘膜，在上述扫描线和上述蓄积电容的一方电极的上方被形成；导电层，在该第1层间绝缘膜的上方被形成；以及第2层间绝缘膜，在该导电层的上方被形成，在上述第2层间绝缘膜上形成了上述数据线。
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