[发明专利]形成薄膜磁头的方法及磁头无效
| 申请号： | 99802597.6 | 申请日： | 1999-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1143272C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | J·B·A·D·范佐恩;G·S·A·M·托伊尼森 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/39;G11B5/84;H01L21/70;H01F10/10;H01F41/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 形成叠层组件的方法，利用具有凹槽(107)的第一层(105)和放置在第一层之上的第二层(117)，因此凹槽被填充。在第二层形成之后，抛光处理被进行从而形成了一个平滑的表面(119)。中间层(109)在第二层形成之前形成，中间层是通过沉积一种比第二层的材料更耐磨的材料而形成的，从而对抛光处理具有限制作用。所述的处理可以在到达中间层之后被终止。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 薄膜 磁头 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成薄膜磁头的方法，所述磁头具有叠层组件，该方法是通过在带凹槽的第一层上面沉积一种材料来填充凹槽而形成第二层，其中所述第二层具有大于第一层的耐磨性，然后进行抛光处理以形成一个平坦的表面，并且在第二层形成之前，通过在第一层之上沉积一种比第二层的材料更耐磨的材料来形成一个限制抛光处理的中间层；在抛光处理到达中间层之后抛光处理被终止，其中中间层被用作为终止抛光处理的指示物；所述平坦表面由所述中间层的一部分和第二层的剩余部分所形成，此后在由所述中间层的所述部分和第二层的所述剩余部分所形成的所述平坦表面之上形成第三层，而无须先除去所述中间层的所述部分。
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