[发明专利]光刻胶膜去除方法及其所用装置无效
| 申请号： | 99803006.6 | 申请日： | 1999-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1167106C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 大家泉;野田清治;宫本诚;葛本昌树;大森雅司;片冈辰雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;岛田理化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了在减少材料消耗并降低通风设施成本的同时高效率且对环境无害地去除光刻胶膜的方法及其装置。去除覆在衬底表面上的光刻胶膜的方法包括：在密闭系统中，使带有光刻胶膜的衬底表面接触光刻胶膜去除溶液；在光刻胶膜去除溶液的液面附近使臭氧以气相和/或混入溶液的状态存在；改变衬底表面与溶液液面之间的相对位置以便从衬底上除去光刻胶膜或使之分解；其中，在衬底底边从位于溶液液面上方的一个位置到衬底顶边位于溶液液面下方的另一个位置之间的范围内，连续或断续地改变相对位置。用于上述方法的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 胶膜 去除 方法 及其 所用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种去除覆在衬底表面上的光刻胶膜的方法，包括：在密闭系统中，使带有光刻胶膜的衬底表面接触光刻胶膜去除溶液；在光刻胶膜去除溶液的液面附近使臭氧以气相和/或混入溶液的状态存在；改变衬底表面与溶液液面之间的相对位置以便从衬底上除去光刻胶膜或使之分解；其特征在于，在其中衬底底边位于溶液液面上方的一个位置和其中衬底顶边位于溶液液面下方的另一个位置之间的范围内，连续或不连续地改变相对位置。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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