[发明专利]用于限制临界尺寸增大的硬掩模的方法有效
| 申请号： | 99803212.3 | 申请日： | 1999-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1148785C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·P·德奥尼拉斯;莱斯利·G·杰德;艾尔弗尔德·科弗 | 申请（专利权）人： | 泰格尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种限制设于半导体基片(56)上的结构的临界尺寸增大的方法，包括设置带有由活性金属或氧化的活性金属构成的硬掩模(52)的基片。该方法还包括使用相对于工艺的腐蚀化学剂具有低溅射率和低反应率的硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 限制 临界 尺寸 增大 硬掩模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种限制在工件的层上要腐蚀的结构的宽度的临界尺寸增大的方法，包括步骤：选择带有要腐蚀的层和淀积其上的硬掩模的工件，并且利用所述硬掩模保护所述层，所述硬掩模至少包括除了钛的活性金属、活性金属氧化物、除了氮化钛的活性金属氮化物、活性金属氟化物、活性金属硼化物、活性金属碳化物中的一种，并且包括包含活性金属的氧化物、氟化物、氮化物、碳化物、硼化物的任意组合的复合物；以及利用腐蚀步骤和利用硬掩模处理在反应器中的所述工件，以便在所述腐蚀步骤期间限制在所述层上腐蚀的结构的宽度的临界尺寸增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
