[发明专利]闪速存储器阵列中的页式擦除

摘要

在闪速存储器阵列的扇区中提供PAGE ERASE(页式擦除)和MULTI PAGE ERASE(多页式擦除)工作方式。在PAGE ERASE和MULTI PAGE ERASE工作方式下，给被选中进行擦除的一行或各行中的闪速存储单元的栅极施加约-10伏的最佳隧道贯穿电压，而把连接到闪速存储单元漏极的位线驱动到约6.5伏的最佳电压。为了减少对不被选中的各行上闪速存储单元的不希望有的擦除，给不被选中的各行上的闪速存储单元的栅极施加约1至2伏的最佳偏置电压。

主权项

1.一种用于对闪速存储器阵列的一个扇区中的一行存储单元执行擦除操作的方法，它包括以下步骤：将一个第一偏置电压加到所述扇区中所述一行上的每一个存储单元的控制栅极，其中所述第一偏置电压是负电压；将一个第二偏置电压加到所述扇区中除所述一行外的所有行上的每一个存储单元的控制栅极，其中所述第二偏置电压是正电压；以及将一个位线电位加在所述闪速存储器阵列的所述扇区中的每一条位线上，该位线电位所具有的幅度使得在所述一行的所述存储单元中发生来自浮动栅极的隧道贯穿，并且使得除所述一行外的所有行的所述存储单元中不发生来自浮动栅极的隧道贯穿，其中所述位线电位是一个大于所述第二偏置电位的电压。