[发明专利]开关电路无效
申请号: | 99804140.8 | 申请日: | 1999-03-17 |
公开(公告)号: | CN1293834A | 公开(公告)日: | 2001-05-02 |
发明(设计)人: | G·A·尼斯贝特 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正,李亚非 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了一种BiCMOS开关电路,它允许用低电压CMOS信号来控制双极性电流源或吸收阱电路。该电路包括电流镜电路,它通过第一双极晶体管流出恒定电流。该晶体管的集电极首先通过第二双极晶体管被连接到电路输出端,以及其次再通过CMOS晶体管被连接到正电压源。根据加到CMOS晶体管的栅极的输入控制信号,该器件可被接通或关断。当CMOS晶体管被关断时,流过第一双极晶体管的恒定电流通过电路输出端被取出。当CMOS晶体管被接通时,流过第一双极晶体管的恒定电流通过CMOS晶体管被取出,以及输出电流是零。可以通过制作一组这样的电路而构成数字-模拟变换器,每个电流镜电路的一半是公用的,这些电路具有不同的恒定电流以及在它们各自的控制输入端处接收输入数字信号的不同比特。 | ||
搜索关键词: | 开关电路 | ||
【主权项】:
1.BiCMOS开关电路,包括:第一双极晶体管;用于通过第一双极晶体管流出恒定电流的装置;第二双极晶体管,它被连接在第一双极晶体管的集电极和电路输出端之间;以及CMOS晶体管,它被连接在第一双极晶体管的集电极和电压源之间,该CMOS晶体管的栅极端被连接来接收输入控制信号。
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