[发明专利]制造电可寻址的蓝宝石上硅光阀用的方法无效
| 申请号： | 99804330.3 | 申请日： | 1999-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1152426C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 兰迪·L·希马布库罗;斯蒂芬·D·拉塞尔;布鲁斯·W·奥福德 | 申请（专利权）人： | 兰迪·L·希马布库罗;斯蒂芬·D·拉塞尔;布鲁斯·W·奥福德 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在蓝宝石上硅结构上制造单片集成液晶阵列显示器及控制电路用的方法，包括以下步骤：a)在蓝宝石基片(30)上形成外延硅层(40)，以产生蓝宝石上硅结构；b)离子注入所说外延硅层；c)退火所说蓝宝石上硅结构；d)氧化所说外延硅层，以由所说外延硅层的一部分形成二氧化硅层，从而留下减薄的外延硅层；e)去掉所说二氧化硅层，以暴露所说减薄的外延硅层；f)由所说减薄的外延硅层制造像素阵列(122)；以及g)由所说减薄的外延硅层制造集成电路(124，126)，该电路工作上被耦合以调制所说像素。该减薄的外延硅层适于制造被用于控制象素操作的器件的质量电路。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 寻址 蓝宝石 上硅光阀用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在蓝宝石上硅结构上制造单片集成液晶阵列显示器及控制电路用的方法，包括以下步骤：a)在蓝宝石基片上形成外延硅层，以产生蓝宝石上硅结构；b)离子注入所说外延硅层；c)退火所说蓝宝石上硅结构；d)氧化所说外延硅层，使所说外延硅层的一部分形成二氧化硅层，从而使外延硅层减薄到30-100nm的厚度；e)去掉所说二氧化硅层，以暴露所说减薄的外延硅层；f)由所说减薄的外延硅层制造具有晶体管和向列液晶电容的像素阵列；以及g)由所说减薄的外延硅层制造集成电路，该电路工作上被耦合以调制所说像素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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