[发明专利]存储器单元装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种存储器单元装置，根据本发明多个存储器单元存在于半导体衬底(10)的主表面区，其中每个存储器单元各包含至少一个具有源极(29)、栅极(WL1或WL2)和漏极(60)的MOS晶体管，存储器单元主要按照平行存储器单元行的方式安排，其中相邻的存储器单元的行通过一条绝缘沟(20)彼此绝缘，并且相邻的存储器单元行各自至少包含一条位线(60)，并且两相邻存储器单元行的位线(60)彼此相向取向。根据本发明这种存储单元装置是这样设计安排的，使绝缘沟(20)比位线(60)更深地延伸入半导体衬底(10)内，并且至少有源极(29)和/或漏极的部分区域在绝缘沟下。此外，本发明还涉及这种存储器单元装置的一种制造方法。

主权项

1.一种存储器单元装置，-其中，在半导体衬底(10)的主面区存在多个存储器单元(230)，-其中，存储器单元(230)各自包含至少一只具有源极(29)、栅极和漏极的MOS晶体管，-其中，存储器单元(230)安排在基本平行走向的存储器单元行内，-其中，相邻的存储器单元行通过一条绝缘沟(20)绝缘，-其中，相邻的存储器单元行各自包含至少一条位线(60，60′，60″)以及-其中，两相邻存储器单元行的位线(60，60′，60″)彼此相向取向，其特征为：绝缘沟(20)比位线(60，60′，60″)更深嵌入半导体衬底(10)内并且在绝缘沟(20)之下至少存在一个源极(29)和/或漏极的分区。