[发明专利]控制半导体晶体生长的开环方法和系统

摘要

一种用于根据切克劳斯基工艺生长无位错和直径与生长速率均匀性得到了改善的硅单晶的装置的开环控制方法。根据本发明,基于装载到坩埚的硅的热和质量传送模型被确定为一个或更多个参考参数的函数。从参考硅单晶的生长来确定参考参数的数值。然后确定作为给定提拉速率分布和模型直径分布的热和质量传送模型的函数的功率分布。产生的功率分布是馈送到加热器以便向坩埚提供基本上保持熔体和晶体之间界面处的热平衡的热能的功率的表示。最后,在至少部分硅单晶的生长过程中,借助于根据功率分布而调整加热器提供给坩埚的热能,对晶体生长装置进行控制。

主权项

1．一种用于硅单晶生长装置的开环控制方法，所述晶体生长装置具有盛放硅装料的坩埚和使坩埚中的硅熔化以形成熔体的加热器，从熔体拉制单晶，所述单晶与熔体形成界面，所述方法包含下列步骤：确定基于装载到坩埚的硅的热和质量传送模型，所述模型是从参考硅单晶的生长确定的一个或更多个参考参数的函数；产生表示加热器为了向坩埚馈送足以基本上保持熔体与晶体之间界面处的热平衡的热能所要求的功率数量的功率分布，所述功率分布是热和质量传送模型的函数；以及在至少部分硅单晶的生长过程中，借助于根据功率分布而调整馈送到加热器的功率，对晶体生长装置进行控制。