[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置无效
| 申请号： | 99804636.1 | 申请日： | 1999-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1295720A | 公开（公告）日： | 2001-05-16 |
| 发明（设计）人： | 高井正巳;中村晃;武田聪;松木达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法,包括封装工序,采用相对于规定波长范围的激光束13透过足以切削调节电路的一部分的能量的透明材料14,将半导体基片封装;和调节工序,在封装工序之后,使激光13从半导体基片的上面通过所述透明材料聚光到调节电路12,切削调节电路12的一部分,将元件调节值设定为目标值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体装置的制造方法，在半导体基片上形成可采用激光调节变更元件调节值的调节电路，其特征在于，包括：封装工序，对于规定波长范围的激光束采用透过足以切割所述调节电路的一部分的能量的透明材料，将所述半导体基片封装；和调节工序，在所述封装工序后，将所述激光束从所述半导体基片上面通过所述透明材料聚光到所述调节电路上，切削所述调节电路的一部分，将所述元件调节值设定为目标值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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