[发明专利]使用三阱结构的有源像素单元成像矩阵中的颜色分离有效
申请号: | 99805316.3 | 申请日: | 1999-03-31 |
公开(公告)号: | CN1298483A | 公开(公告)日: | 2001-06-06 |
发明(设计)人: | R·B·默里尔 | 申请(专利权)人: | 福维昂公司 |
主分类号: | G01J3/50 | 分类号: | G01J3/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永,傅康 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种利用不同波长(400—490nm,490—575nm,575—700nm)的光在硅中的吸收长度的差异进行颜色分离的数字成像仪装置。一种优选成像阵列(102,104,106)基于使用了一种三阱结构(100)的三色像素传感器。该阵列通过测量同一位置处各个像素内的三原色(RGB)来消除颜色混淆。 | ||
搜索关键词: | 使用 结构 有源 像素 单元 成像 矩阵 中的 颜色 分离 | ||
【主权项】:
1.一种形成于第一种导电类型硅衬底中的、用于分离不同波长的光的彩色光传感结构,该彩色光传感器结构包括:第一个形成于硅衬底中的、与第一种导电类型相反的第二种导电类型掺杂区,在硅衬底中大约相当于第一个光波长在硅中的吸收长度的深度处形成第一个掺杂区与硅衬底之间的结,以便形成第一个光电二极管;第二个形成于第一个掺杂区中的第一种导电类型掺杂区,在第一个掺杂区中大约相当于第二个光波长在硅中的光吸收长度的深度处形成第二个掺杂区和第一个掺杂区之间的结,以便形成第二个光电二极管;第三个形成于第二个掺杂区中的第二种导电类型掺杂区,在第二个掺杂区中大约相当于第三个光波长在硅中的光吸收长度的深度处形成第三个掺杂区和第二个掺杂区之间的结,以便形成第三个光电二极管;和分别与第一个、第二个和第三个光电二极管跨接,以便测量第一、第二和第三光电流的光电流传感器。
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