[发明专利]用于制造电子元件的湿法处理方法无效
| 申请号： | 99805751.7 | 申请日： | 1999-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN1299516A | 公开（公告）日： | 2001-06-13 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·维尔哈维尔贝克;克里斯托佛·F·麦克康奈尔;劳伦斯·J·麦兰德 | 申请（专利权）人： | CFMT公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B08B3/04;B08B11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,李辉 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造诸如集成电路中使用的半导体晶片一类的电子元件前体的湿法处理方法。更具体说,本发明涉及利用湿法处理技术制造电子元件前体的方法,该方法在按三分之一和四分之一间距间隔设置的整个晶片上提供均匀的液流分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电子元件 湿法 处理 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造电子元件前体的方法，包括：a)将电子元件前体从承载盒传送到处理盒，在承盒中各前体隔开预定间距，在处理盒中各前体隔开小于预定间距的一半的间距；b)将电子元件前体放置于用于湿法处理的容器的处理盒中；以及c)通过位于电子元件前体的容器上游的屏板注入处理液体，其中屏板中具有按一定图形排列的孔，以便为通过屏板侧边的液流提供较高阻力，为通过屏板中心的液流提供较低的阻力，从而使处理液体均匀分布于电子元件前体的整个表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
