[发明专利]新型除草剂

摘要

本发明涉及适于用作除草剂的式(I)化合物以及这些式(I)化合物的农业化学上可接受的盐和立体异构体,其中A为=N－或式(b);R1是氢、氟、氯、溴或甲基;R2是C1－C4烷基、C1－C4卤代烷基、卤素、R6O－、硝基、氨基或氰基;W是基团(W1)、(W2)、(W3)或(W4);且R3、R6、R14－R24以及X3－X9如权利要求1所定义。

主权项

1．式(Ⅰ)化合物或这种式(Ⅰ)化合物的农业化学上可接受的盐或立体异构体：其中A=N-或R1为氢、氟、氯、溴或甲基；R2为C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、卤素、R6O-、硝基、氨基或氰基；R3为卤素、硝基、氨基、R4NH-、R4R5N-、叠氮基或ClS(O)2-；R4和R5彼此独立地为C1-C8烷基、C3-C8链烯基、C3-C8炔基、C3-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、C3-C8卤代链烯基、HCO-、C1-C4烷基羰基、C1-C4卤代烷基羰基、C1-C4烷基磺酰基、C1-C4卤代烷基磺酰基、苄基或苯环上被卤素、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代的苄基；或者R4和R5与它们所键连的氮原子一起形成进一步含有O、N或S杂原子的饱和或不饱和杂环，并且该杂环可以被卤素、C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基、C1-C3烷氧基、C1-C4烷氧基羰基、C1-C3烷基S(O)n1-、硝基或氰基取代；或者R3为R6O-；R6为氢、C1-C8烷基、C3-C8链烯基、C3-C8炔基、C3-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、氰基-C1-C8烷基、C3-C8卤代链烯基、羟基-C1-C4烷基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C3-C6链烯氧基-C1-C4烷基、C3-C6炔氧基-C1-C4烷基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C1-C4烷硫基-C1-C4烷基、C1-C8烷基羰基、C1-C8烷氧基羰基、C3-C8链烯氧基羰基、苄氧基-C1-或-C2-烷基、苄基羰基、苄氧基羰基、苯基、苯基-C2-C8烷基、苄基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基或哒嗪基，其中这些芳环或杂芳环可任选地被卤素、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代；或者R6是R7X1C(O)-C1-C8烷基-或X1是O、S或R7为氢、C1-C8烷基、C3-C8链烯基、C3-C8炔基、C3-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、C3-C8卤代链烯基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C3-C6链烯氧基-C1-C4烷基、C1-C4烷硫基-C1-C4烷基、苯基、被卤素，C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代的苯基、或苄基或苯环上被卤素，C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代的苄基；R8为氢、C1-C8烷基、C3-C8链烯基、C3-C8炔基、C3-C6环烷基、C1-C8卤代烷基或苄基；或者R3为R9S(O)n1-；n1为0,1或2；R9为C1-C8烷基、C3-C8链烯基、C3-C8炔基、C3-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、羧基-C1-C4烷基、C1-C4烷氧基羰基-C1-C4烷基、苄氧基羰基-C1-C4烷基、C1-C4烷硫基-C(O)-C1-C4烷基、C3-C5链烯氧基羰基-C1-C4烷基、C1-C4烷基氨基羰基-C1-C4烷基、二-C1-C4烷基氨基羰基-C1-C4烷基、C3-C5链烯基氨基羰基-C1-C4烷基、C3-C8卤代链烯基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C3-C6链烯氧基-C1-C4烷基、C1-C4烷硫基-C1-C4烷基、苯基、被卤素，C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代的苯基、或苄基或苯环上被卤素，C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代的苄基，并且当n1为0时，R9还另外为氢、C1-C8烷基羰基、R10X2C(O)-或R10X2C(O)-C1-或-C2烷基；X2为氧、硫或R10为氢、C1-C8烷基、C3-C8链烯基、C3-C8炔基、C3-C6环烷基、C1-C8卤代烷基、C3-C8卤代链烯基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C3-C6链烯氧基-C1-C4烷基、C1-C4烷硫基-C1-C4烷基、苯基、被卤素，C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代的苯基、或苄基或苯环上被卤素，C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代的苄基；R11为氢、C1-C8烷基或C3-C8链烯基；或R3为R12R13NS(O)2-；R12为氢、C1-C8烷基、C2-C8链烯基、C3-C8炔基或C3-C6环烷基；R13为氢、C1-C8烷基、C3-C8链烯基、C3-C8炔基、C1-C8卤代烷基、C1-C4烷氧基-C1-C4烷基、C1-C4烷基羰基、C1-C4卤代烷基羰基、苄基、苯甲酰基、或苯环上被卤素，C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基单至三取代的苄基或苯甲酰基；W为基团：R14为C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基或氨基；R15为C1-C3卤代烷基、C1-C3烷基-S(O)n2-、C1-C3卤代烷基-S(O)n2-或氰基；或者R15与R14一起形成C3-或C4-亚烷基桥，该亚烷基桥可以被卤素、C1-C3卤代烷基或氰基取代；n2是0、1或2；R16为H、C1-C3烷基、卤素、C1-C3卤代烷基或氰基；或者R16与R15一起形成C3-或C4-亚烷基桥，该亚烷基桥可以被卤素、C1-C3卤代烷基或氰基取代；R17是H、C1-C3烷基、卤素或氰基；R18是C1-C3卤代烷基；或者R18与R17一起形成C3-或C4-亚烷基桥或C3-或C4-亚链烯基桥，这两种桥都可以被卤素、C1-C3烷基或C1-C3卤代烷基取代；R19是H、C1-C3烷基或卤素；或者R19和R18一起形成C3-或C4-亚烷基桥或C3-或C4-亚链烯基桥，这两种桥都可以被卤素、C1-C3烷基或C1-C3卤代烷基取代；R20和R21彼此独立地为H或C1-C4烷基；或者R20与R21一起表示基团：R25和R26彼此独立地为C1-C4烷基；或者R25与R26一起形成C4-或C5-亚烷基桥；R22为氢或C1-C3烷基；或者R22与R21一起形成C3-C5亚烷基桥，该亚烷基桥可以被氧间断，并且可以被卤素、C1-C4烷基、C1-C3卤代烷基、C2-C4链烯基、C1-C3烷基羰氧基、C1-C3烷氧基羰基、C1-C3烷基磺酰氧基、羟基或=O取代；R23和R24彼此独立地为氢或C1-C3烷基；或者R23与R24一起形成C2-C5亚烷基桥，该亚烷基桥可以被氧、硫、-C(O)-或-S(O)2间断；以及X3、X4、X5、X6、X7、X8和X9彼此独立地为氧或硫。