[发明专利]半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 99806775.X | 申请日： | 1999-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1155992C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | V·阿尔莱 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;张志醒 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 借助包含以下工艺步骤的外延制造半导体元件的方法，这些步骤有：a)把具有外延窗口的HF可溶解的掩模层覆盖到外延衬底上，b)在外延反应器内半导体层或层系列外延沉积到外延窗口露出的外延衬底区，以及c)借助引入外延反应器内的氟化物去除掩模材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体元件的制造方法，它具有以下的工艺步骤：a)把具有外延窗(4)的HF可溶解的掩模层(3)覆盖到外延衬底(9)上，b)在外延反应器内把半导体层或层系列(10)外延沉积(11)到被外延衬底(9)的外延窗(4)露出的区域上，以及c)借助氟化物腐蚀(12)去除掩模材料，其特征为：作为氟化物，一种不稳定的氟化物引入到冷却的外延反应器内，该氟化物在外延反应器内分解或反应成为氟化氢，其中，反应器壁被冷却，以便在那里降低不稳定氟化物的反应性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
