[发明专利]多孔性绝缘材料及其制备方法无效
| 申请号： | 99807063.7 | 申请日： | 1999-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1304550A | 公开（公告）日： | 2001-07-18 |
| 发明（设计）人： | P·A·科尔 | 申请（专利权）人： | 佐治亚技术研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙爱 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成多孔性绝缘组合物的方法,包括步骤(A)提供至少一种包括至少一种有机牺牲材料和至少一种介电材料的有机牺牲材料/介电材料组合物;和(B)将至少一种有机牺牲材料/介电材料组合物中的至少一种有机牺牲材料移出,以使至少一种介电材料内产生微孔。还公开一种用于制造多孔性绝缘体的组合物,包括至少一种热活性的成孔有机牺牲材料和至少一种介电材料。或者,制造多孔性绝缘体所用的组合物包括至少一种成孔有机牺牲材料和至少一种介电材料,其中至少一种成孔材料是降冰片烯型聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 绝缘材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种形成多孔性绝缘组合物的方法，包括如下步骤：(A)提供至少一种包括至少一种有机牺牲材料和至少一种介电材料的有机牺牲材料/介电材料组合物；和(B)将至少一种有机牺牲材料/介电材料组合物中的至少一种有机牺牲材料移出，以使至少一种介电材料内产生微孔。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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