[发明专利]容许工艺条件变动而制备无缺陷硅晶体的工艺

摘要

一种生长具有一个基本上无团聚本征点缺陷的轴向对称区单晶硅锭的工艺。单晶硅锭一般是按照左克拉斯基方法生长;可是,该锭从固化温度冷却到超过约900℃的一个温度被控制得容许有本征点缺陷的扩散以使在此轴向对称区内无团聚缺陷形成。是以,V/Go比由于V或Go的变化被容许在此区域之内轴向地变动至少5%于一个最小值和一个最大值之间。

主权项

1．一种生长单晶硅锭的工艺，该硅锭具有一个中心轴、一个籽晶锥、一个尾晶锥、一个籽晶锥和尾晶锥之间直径恒定部分和一个包含直径恒定部分的一部分并基本上没有团聚本征点缺陷的锭段，该工艺包括：使随着硅锭生长，V/Go比作为锭段长度的函数被容许在一个最小值(V/Go)min和一个最大值(V/Go)max之间变动，其中V是生长速度，Go是中心轴处约1300℃和固化温度之间的平均轴向温度梯度，(V/Go)min不大于(V/Go)max的约95％；且把锭段从固化温度在一个足以在该锭段之内防止团聚本征点缺陷形成的停留时间tdw内冷却到约1050℃和约900℃之间的一个温度。