[发明专利]具平面抗蚀结构的电子元件和其制造的热机械方法有效
| 申请号： | 99807714.3 | 申请日： | 1999-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN1127204C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | B·弗巴彻尔 | 申请（专利权）人： | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/05 | 分类号： | H03H9/05;H03H3/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟,章社杲 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在用于使一个部分升高的载体表面上施加的抗蚀层平面化的热机械方法中将得到一个抗蚀结构，尤其是用于电子元件的封装。其中由耐热保护膜(3)及感光层(4)的组合构成的一个干抗蚀膜(2)用其感光层(4)放置在载体面(6)上，及干抗蚀膜(2d)在压力及热量下被平面化，然后使感光层曝光，接着除去保护膜(3)及使感光层显影。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 结构 电子元件 制造 机械 方法 | ||
【主权项】：
1.电子元件，-具有施加在一个载体上的升高结构，-具有一个施加在升高结构上的抗蚀结构，-其中抗蚀结构被密封地置于载体及升高结构上，及-其中抗蚀结构具有这样变化的层厚度，即抗蚀结构不与载体及升高结构接触的表面是平的。
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