[发明专利]用于离子化物理气相淀积的方法和装置

摘要

由装置(40)的方法提供了离子化物理气相淀积(IPVD)，用于将导电金属涂层材料从一环形磁控管溅射靶(51)溅射出来。通过用从一线圈(65)耦合的能量在空间中产生一稠密等离子体，该溅射材料在一位于靶(51)与一基片之间的腔室41中的加工空间中被电离，该线圈(65)位于真空室外部和一介质窗孔(61，71，81)后面，该介质窗孔(61，71，81)在溅射靶(51)中的开口中心处位于腔室壁(42)中。法拉第型屏蔽件(66，67)物理地将窗孔与来自窗孔的涂层材料屏蔽开，同时使能量从线圈感应耦合到加工空间中。线圈(65)位于靶平面中或靶后面的位置使靶至晶片之间的间距可以选择，以优化薄膜淀积率和均匀度，还提供了这样的优点，即一种在靶中心开口中没有与不需要的淀积相关问题的环形源。

主权项

1.一种离子化物理气相淀积装置(40)，包括：一具有一腔室壁(42)的真空室(41)，该腔室壁环绕该腔室中的一真空加工空间；一导电涂层材料源(50，50a，50b，50c)，从该导电涂层材料源向该加工空间提供导电涂层材料，该材料源具有至少一个与该真空加工空间相通的表面；一在该腔室(41)中该加工空间内与该材料源(50，50a，50b，50c)相对的基片支承件(14)；一位于腔室(41)外部的RF能量源(22)；一位于该腔室(41)外部的线圈(65，75)，该线圈与该RF能量源(22)相联，从而将能量感应耦合到该腔室中，在该加工空间中形成一感应耦合等离子体，该等离子体对从该材料源(50，50a，50b，50c)移动经过该加工空间的导电涂层材料进行电离；及一屏蔽件结构(66，67，76，77)，该屏蔽件结构被构造成减少穿过其中的RF能量的电容耦合，并使RF能量从线圈感应耦合到加工空间中，其特征在于，上述材料源是一个具有一中央开口(58)的环形源(50，50a，50b，50c)，上述腔室壁(42)包括一靠近或位于该环形源的中央开口中的介质窗孔(61，71，81)；上述线圈(65，75)靠近该介质窗孔(61，71，81)并通过该窗孔将能量感应耦合到该腔室(41)中，上述屏蔽件结构(66，67，76，77)位于该窗孔(61，71，81)中该窗孔与加工空间之间，并物理地屏蔽该介质窗孔(61，71，81)，使其免受来自加工空间的导电涂层材料的沉积。