[发明专利]电抛光半导体器件上金属互连的方法和装置有效
| 申请号： | 99808421.2 | 申请日： | 1999-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1146966C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 辉·王 | 申请（专利权）人： | ACM研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;C25F3/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于抛光晶片(31)上制作的金属层的电抛光装置包括电解液(34)、抛光槽(100)、晶片吸盘(29)、流体入口(5，7，9)和至少一个阴极(1，2，3)。晶片吸盘(29)吸住晶片(31)并将其置于抛光槽(100)内。电解液(34)通过流体入口(5，7，9)送入抛光槽(100)。然后，阴极(1，2，3)将电解电流施加于电解液来电抛光晶片(31)。根据本发明的一个方面，可以电抛光晶片(31)的分立部分来提高电抛光后的晶片的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 电抛光 半导体器件 金属 互连 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用来对制作在晶片上的金属层进行电抛光的方法，它包含下列步骤：将电解液涂敷到晶片的第一部分上；将抛光电流施加到所述电解液，以便从晶片的所述第一部分电抛光金属层；将所述电解液涂敷到晶片的至少第二部分上；其中第一部分和第二部分是晶片的不同部分，并且其中将电解液独立于晶片的第一部分涂敷到至少第二部分上；以及将所述抛光电流施加到所述电解液，以便从晶片的所述至少第二部分电抛光金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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