[发明专利]具有串联存储器单元的铁电写/读存储器(CFRAM)无效
| 申请号： | 99808496.4 | 申请日： | 1999-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1154115C | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | R·施奈德尔;G·布劳恩 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑立柱;孙黎明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 申请内容涉及串联的铁电存储器单元，在这些存储器单元上存在着电阻或晶体管的，与各自存储器单元铁电电容器的串联电路。因此没有访问时间的不允许提高地实现，如此减小正好未寻址存储器单元铁电电容上的，通过寻址存储器单元的读出或写入生成的干扰脉冲，使得这些干扰脉冲实际上不再对未寻址存储器单元有影响。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 串联 存储器 单元 铁电写 cfram | ||
【主权项】：
1.具有多个串联存储器单元(Z1)的铁电写/读存储器，其中一个各自的存储器单元(Z1)具有一个各自的铁电电容器(ZF11)、一个电阻(R1)和一个晶体管(M11)，其中各自的电阻(R1)是与各自的铁电电容器(ZF11)串联的，并且其中由铁电电容器(ZF11)和各自电阻(R1)组成的串联电路与各自的晶体管(M11)并联连接，该晶体管(M11)的栅极与一个各自的字线(WL1)相连接。
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