[发明专利]电阻性的铁电存储单元无效
| 申请号： | 99808989.3 | 申请日： | 1999-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1161787C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | O·科瓦里克;K·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： |
本发明涉及由一只选择晶体管和一只存储电容器构成的一种电阻性铁电存储器单元，该电容器的一电极(PL)处于固定的单元极板电压，而其另一电极(SN)与选择晶体管的具有第1导电类型的第1区(1)连接，其中在与第1导电类型相反的第2导电类型的半导体衬底内提供选择晶体管和存储电容器。该存储器单元的特征为：在存储电容器的另一电极(SN)和固定的单元极板电压之间提供一电阻(FOX；FOX，10，11)，其电阻值R2是这样确定的，使R3< | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.由一只选择晶体管和一只配有一个第一和一个第二电极(PL，SN)的存储电容器构成的电阻性铁电存储器单元，该选择晶体管具有在一个半导体衬底中的一个第一区(1)和一个第二区(2)，该第一区掺杂有一个第一导电类型的掺杂材料，该第二区同样掺杂有一个第一导电类型的掺杂材料，该半导体衬底掺杂有一个与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂材料，其中的第一电极(PL)处于一固定的单元极板电压下，而其第二电极(SN)与选择晶体管的第一区(1)连接，其中选择晶体管和存储电容器安置在所述半导体衬底内，其特征在于，在存储电容器的第二电极(SN)和固定的单元极板电压之间规定有一电阻(FOX；FOX，10；11)其电阻值R2这样确定，使 R3《R2《R1，其中：R1＝在选择晶体管的第一区(1)和半导体衬底之间的pn结的反向电阻值，R3＝在接通状态下选择晶体管的第一区(1)和第二区之间的电阻值。
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