[发明专利]纳米多孔二氧化硅的蒸气沉积工艺无效
| 申请号： | 99810633.X | 申请日： | 1999-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1160767C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | D·M·史密斯;T·拉莫斯;K·H·鲁德里克 | 申请（专利权）人： | 联合讯号公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠;钟守期 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过将二氧化硅前体蒸气沉积到基材上制造纳米多孔二氧化硅介电薄膜的方法。该方法提供：蒸发至少一种烷氧基硅烷组合物；将已蒸发的烷氧基硅烷组合物沉积到基材上；将沉积的烷氧基硅烷组合物暴露于水蒸气、和酸或碱性蒸气中；和将已暴露的烷氧基硅烷组合物干燥，由此在基材上形成相对高的孔隙率、低介电常数的含硅聚合物组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 多孔 二氧化硅 蒸气 沉积 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种在基材上形成纳米多孔介电涂层的方法，包括：a)蒸发至少一种烷氧基硅烷组合物；b)将已蒸发的烷氧基硅烷组合物沉积到基材上；c)将沉积的烷氧基硅烷组合物暴露于水蒸气和酸性蒸气或和碱性蒸气中；和d)将已暴露的烷氧基硅烷组合物干燥，由此在基材上形成相对高的孔隙率、低介电常数的含硅聚合物组合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
