[发明专利]CVD装置无效
| 申请号： | 99810750.6 | 申请日： | 1999-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1317056A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | J·施米特;F·R·张;X·S·郭;陈岭;C·玛卡德尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种淀积系统，用于进行化学气相淀积，包括带有盖子的淀积室和连接到所述盖子的蒸发器。另外，一个或多个阀门布置在所述盖子和蒸发器之间，限制前驱体物料到淀积室的流动并改进连接到所述蒸发器的前驱体物料输送系统的清除。前驱体输送系统有一个或多个导管。导管之一是可弯曲导管，具有多圈螺旋管的形式，具有扭曲弹性，适用于使盖子从淀积室上卸下，而没有破坏或损坏导管。优选的是，可弯曲的导管是30圈的螺旋管，直径约3英寸，用不锈钢管制造。另外，可弯曲的导管用透气性薄膜材料，如特氟隆、特氟隆变体或PFA440－HP制造，然后包围在护套中。所述护套连接到压力控制单元上，使得可以进行导管及导管与护罩之间的间隙的脱气。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 装置 | ||
【主权项】：
1．进行化学气相淀积的装置，包括：带有盖子的淀积室；连接到所述盖子上的蒸发器。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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